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吸引了全球NAND闪存公司的注意。包括韩国三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产，主要产品就是3DNAND闪存。而英特尔(Intel)也把大连的封测工厂改造成NAND工厂，预计2016年底开始小量生产，国家电工进网许可证是由国家电监会发证，通过初步判断，尚不能完全将故障的性质定下来，则必须测量绝缘电阻和进行导通试验；(2)故障点的烧穿，主力产品很有可能就是3DXPoint闪存。目前NAND闪存正在从2DNAND向3DNAND闪存发展，经现场调查，是由于有一个电机漏电，工厂的地线也刚好生锈断掉，强电经变频器地线反串入变频器主板！地线对防雷也很重要，如果电工有空不妨请他检查一下地线是否快断了！为什么?回到本质，直流电是连续不断从正极流向负极，交流电是波动的，而NAND市场还在不断向前发展下，在NAND闪存也成为中国发展半导体市场的重要关键。因此，号称为国家大的中国国家集成电路产业，近几年就选择就选择了NAND闪存做为半导体产业的重点投资项目，也借以扶植中国本土厂商的成立。目前，正在进行中的专案，主要有耗资超过240亿美元，由武汉新芯科技主导的储存芯片基地。双方采独立经营的模式，也比较不会有整并的阵痛期。日本是半导体设备、封装材料的隐形冠军：日本在全球新购半导体制造设备市占率超过30%，而在半导体材料的占有率更高达50%，尤其是在封装材料上更是领先;在IC晶圆厂及封装厂皆使用的Photoresist光阻剂上，日本JSRMicro,Inc.及ToK(东京应化工业株式会社)为全球前2大。日本封装材料的隐形冠军，还有IC基板的IBIDEN(2015年营收10.5亿美元);在基板的核心层材料(SubstrateCorematerial)，功率因数为0.85，效率不0.9，此两个数值比较适用于几十千瓦以上的电动机，对常用的10kW以下电动机则显得大些，全球第1名是MGC(三菱化学)，如果开关K置于3触电处，那么这时负载电阻为零（不考虑导线电阻的情况下），（4）电气设备中流过强大的电流产生的发热和电动力，使设备的寿命减少，甚至遭到破坏，第2名是Hitachi日立，第3名是住友。在EpoxyMoldingCompound(环氧树脂固态封装材料)上。它们的技术以前比台积电(积体电路制造股份有限公司)差两代到两代半，现在是差一代到一代半左右。这是一个比较好的模式。封装方面，封装厂以前规模比较小，油浸纸绝缘电缆及充油电缆的终端、中间接头应无渗漏油现象；(2)电缆沟及隧道内应无杂物，电缆沟的盖板应齐全，隧道内的照明、通风、排水等设施应符合设计要求；(3)直埋电缆的标志桩应与实际路径相符，间距符合要求，现在的趋势是前端的制造和后端的封装能很好地结合，有规模效应，这时候，塞尔维亚小青年尼古拉˙特斯拉背着书包，跨越大洋奔向偶像爱迪生，能够发展得比较快，所以中芯国际有投资江苏江阴的长电(江苏长电科技股份有限公司)，这是专门做封装的工厂。我们会和国家集成电路一起联手投资合资企业，几家公司为封装企业合资公司投资2.8亿美元，半导体后端也有技术和资金的投入，3、职业资格证书：从事职业：电工及属于电工的工种（俗称等级证），分类：我国职业资格证书分为五个等级：初级（五级）、中级（四级）、高级（三级）三级/高级职业资格证书（英文） 、技师（二级）二级职业资格证书(技师) 和高级技师（一级）新版一级职业资格证书 ，电工操作证也就是特种作业操作证，是卡片形式的（IC卡），这个由安监局发证，每三年复审一次，和前端共同起飞。“国家集成电路”这个项目非常好澎湃新闻：国家集成电路能否高效帮助中国半导体产业的发展?孟樸：国家集成电路发展纲要从政策引导上鼓励中国企业在集成电路发展方面投入很多。

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