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一、单选题：
1．金属导体的电阻值随着温度的升高而（ ）。 A：增大 B：减少 C：恒定 D：变弱
2．纯电感电路的感抗为（ ）。 A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL
3．在正弦交流电阻电路中，正确反映电流电压的关系式为（ ）。 A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R
4．在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间，加大触发电流（两倍以上）这个电流称为（ ）。 A：触发电流 B：强触发电流 C：掣位电流 D：导通电流
5．三相负载接在三相电源上，若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ，应作（）连接。 A：星形 B：三角形 C：开口三角形 D：双星形
6．单相正弦交流电路中有功功率的表达式是（ ）。 A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ
7．纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流（ ）。 A：超前90° B：滞后90° C：同相 D：超前0~90°
8．两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，则有（）。A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：不能判断相位差 D：
9．射极输出器的输出阻抗（ ），故常用在输出极。 A：较高 B：低 C：不高不低 D：很高
10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ ）。 A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2
11．三相变压器的连接组别是表示（ ）。 A：原付边线电压的相位关系 B：原付边的同名端关系 C：原付边相电压的时至中关系 D：原付边电流大小关系
12．射极输出器的电压放大倍数约等于（ ）。 A：80--100 B：1 C：<50
13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（ ）。A：越高 B：移相位 C：越低 D：越大
14．某正弦交流电压的初相角中，φU=π/6，在t=0时，其瞬时值将（ ）。 A：小于零 B：大于零 C：等于零 D：不定
15．已知msinwt第一次达到 大值的时刻是0.005s，则第二次达到 大值时刻在（）。 A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s
16．U=311sin（314t-15°）伏，则U=（ ）伏。 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°
17．实际电压源与实际电流源的等效互换，对内电路而言是（ ）。 A：可以等效 B：不等效 C：当电路为线性时等效 D：当电路为非线性时等效
19．任一条件具备都可以得到肯定的结论，这是（ ）逻辑。
A：与 B：或 C：或非 D：非
20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（ ）。
A：电压负反馈 B：电压正反馈 C：电流负反馈 D：电流正反馈
21．Z=A+B是（ ）逻辑。
A：与 B：与或非 C：与或非 D：或非
22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（ ）放大电路。
A：共发射极 B：共基极 C：共集电极 D：共阴极
23．结论和给定条件相反的逻辑是（ ）。
A：与 B：或 C：与非 D：非
24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（ ）型。
A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管
25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（ ）。
A：电流正反馈 B：电流负反馈 C：电压正反馈 D：电压负反馈
26．可控硅的正向阻断是（ ）。
A：可控硅加小向阳极电压，，控制极加反向电压 B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压
C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压 D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=（ ）安。
A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°
28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。
A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2
29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（ ）逻辑。
A：与非 B：或非 C：与 D：非
30．单相桥式半
控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（ ）之间连续可调。
A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2
31．已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=（ ）A。
A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°
32．可控硅导通条件是( )。
A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压
C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压 D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（ ）工作状态。
A：放大 B：截止 C：饱和 D：开路
34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（ ）。
A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通
35．已知e=311sin (314t+5°)V，其相量E=（ ）。
A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°
36．戴维南定理只适用于（ ）。
A：外部为非线性电路 B：外部为线性电路 C：内部为线性含源电路 D：内部电路为非线性含源电路
37．可控硅有（ ）PN结组成。
A：1个 B：2个 C：3个 D：4个
38．电容器的电流I=CΔUC/Δt，当UC增大时，电容器为（ ）。
A：充电过程并吸取电能转换为电场能 B：充电过程并吸取电场能转换为电能
C：放电过程并由电场能释放为电能 D：放电过程并由电能释放为电场能
39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（）型。
A：NPN B：PNP C：N D：P
40．已知：电流I=6+j8，电源频率为50Hz，其瞬时值表达式为I=（ ）。
A：10 sin (314t+53.1°) B：10 sin (314t+36.9°)
C：10sin (314t+53.1°) D：10sin (314t+36.9°)
(整理：昌邑电工考证培训学校)
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