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氧化锡锑(ATO)是一种新型透明导电氧化物材料,其资源丰富、价格便宜、无毒无污染,而且具有禁带宽度大(>3.6eV)、导电性好、可见光透过率高、抗辐射、热稳定性好等优异性能,用于大面积磁控溅射镀膜，如建筑玻璃，汽车玻璃，低辐射玻璃，薄膜太阳能电池、ATOFilm等工业，增加隔热性能、隔紫外性能、防辐射性能、防静电性能等。ATO具有广阔应用前景，而为了实现其产业化应用,可选用工业上应用较广的溅射镀膜技术。而高质量的溅射靶材是溅射镀膜中主要的原材料,利用物理或者化学气相沉积镀膜，使工件增加防静电性能能，防辐射性能等。因此必须制备出高品质的ATO陶瓷靶材,要求其致密度高、导电性好且杂质含量低。但由于Sn02在高温下(>1100℃)易挥发和产生气孔缺陷,导致ATO陶瓷靶材难以致密化。

氧化锡锑(ATO)具有以下优异的性能。导电性，均匀分散的导电纳米超微粒子的相互作用形成导电膜，导电膜中电荷移动可实现高透射率和防静电（30Ω.cm2），透明性，ATO纳米超微粒子对可视光（380nm-780nm）的吸收率极弱，而且对可视光难以散射的大小粒子组成，所以有着高的透明性。隔红外、隔紫外、防辐射性能，能有效地阻止红外辐射和紫外线辐射，阻隔红外效果达80%以上，阻隔紫外效果达65%以上。

根据的数据显示，半导体行业2018年海外业务收入502亿，占半导体行业总营收1130亿元的约44.48%。海外业务营收超过10亿的约9家。溅射靶材（纯度：99.9%-99.999%），具有较高的技术壁垒。和超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求相比，太阳能电池用铝靶的金属纯度略低，99.995%（4N5）以上。靶材成本居高不下，，是异质结电池产业化过程中的一个大阻碍。HJT量产的关键点在于PECVD。2019年海外应材和梅耶博格的PECVD价格接近5亿元/GW，设备虽然成熟但价格太高，整线的设备投资达到7-8亿元。对比海内外四大设备，海外设备较为成熟，但核心设备价格较高不具备量产经济性。

竞争格局：海外企业主导，国内迎头赶上。当前该领域竞争格局以攀时、世泰科、贺利氏、爱发科、住友化学、JX金属等为代表的国外少数几家跨国集团占据主导地位，其中攀时、世泰科等厂商是全球钼靶材的主要供应商，住友化学、爱发科等厂商占据了全球铝靶材的大部分市场，三井矿业、JX金属、优美科等厂商是全球ITO靶材的主要供应商，爱发科、JX金属等厂商是全球铜靶材的主要供应商。铝靶:目前国内液晶显示行业用铝靶材主要是日资企业主导。外企方面:爱发科电子材料大约占据国内50%左右的市场份额。爱发科电子材料几乎垄断着国内铜靶材市场，市场占有率在80%以上。钼靶:具体分为条靶、宽靶和管靶3种。其中，4.5代、5.5代和6代线一般使用宽幅钼靶。而8.5代及以上世代线用使用组合条靶或管靶。

芯片行业拥有一条超长的产业链，其整体可分为设计、制造、封装、测试四大环节。除了在设计领域。日本是全球主要的半导体材料生产国，并在半导体材料里长期保持绝对优势，体芯片需要19种左右的必须的材料，缺一不可，且大多数材料具备极高的技术壁垒。薄膜复晶）、焊线、封装材料等14种重要材料方面均占有50%以上的份额。根据中国溅射靶材行业市场数据显示：靶材在半导体材料中占比约为2.5-3%。靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。由于半导体溅射靶材市场与晶圆产量存在直接关系，以中国大陆晶圆厂产能占全球比例为15%计算，2019年中国半导体溅射靶材市场约1.7亿美元。随着晶圆厂产能向中国转移，半导体用靶材市场将达到1.5亿美元。同比增长25%。

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