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美光推出首款1Znm16GbLPDDR4X，美光推出业界首款使用1Znm技术，容量高达16Gb的LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4，功耗更低能有效延长电池寿命，有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。美光的1ZnmLPDDR4X产品拥有业界低的功耗，同时提供高达4266Mbps速度。与上一代产品相比，功耗降低了10%。作为业界目前高容量16GbLPDDR4X芯片（可在单个封装中堆叠多达8个芯片），LPDDR4X可在不增加前几代LPDDR4封装尺寸的情况下使容量翻倍。美光表示，采用分立设计和低功耗多芯片封装，使得存储器在相同的占位面积内提供更高的密度，以满足更广泛的智能手机用户群。

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MTFDGAR1T6MAX-1AG13ABYY_生产闪存芯片的上市公司而今日发布的128Gb20nmMLC闪存更是达到了16KB。由于内部传输界面和pagesize均有较大改变，预计1-1.5年内采用这种新闪存芯片的SSD不会上市。除需要研发支持较大pagesize的主控和固件外，新的芯片diesize约为4月发布的64Gb型号的2倍，并且工厂还需要时间来进一步提升良品率和降低成本。Intel与美光表示20nm128Gb闪存将于2012年第二季度开始正式量产，有望于2013年前用在SSD上。届时SSD将真正进入TB级时代。厂商将可制造出指尖大小单芯片封装（8片这种128GbNAND闪存堆叠）的128GBSSD，仅用8块封装芯片就可做出1TB的SSD，如果芯片布满2.5英寸PCB的两侧共16颗。

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