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安装维护方便等优点;而采用器件串联与换流单元级联的换流阀技术是目前高压大容量换流器发展的方向，很好的解决了高压环境下，IGBT器件串联数增大带来的应力高、均压难及子单元串联数量大、控制复杂的问题。因此IGBT串联技术仍然是未来超特高压直流输电的核心技术之一。在基于晶闸管的特高直流输电中，往往采用RC阻尼回路解决晶闸管串联的电压平衡问题，但是IGBT开关速度快、工作频率高，，采用RC阻尼均压方案效率较低，在实际工程中可行性较差，因此需要通过先进的栅极控制实现IGBT串联电压平衡[3]。文献[4,5]提出了同步控制技术，瞬时电压平衡控制器通过对提前开关的开关管进行一定开通关断的延时控制，使各管电压相等。
众所周知，英飞凌拥有备受市场肯定及适合电磁炉应用的谐振切换IGBT技术。SITRI将要为大家介绍的就是经过进一步优化，切换和导通损耗更低的第三代RC-IGBT产品-IHW20N120R3。相比第二代RC-IGBT，第三代RC-IGBT能降低20%的切换损耗，进而能减少装置热应力，延长产品使用寿命并提高可靠性。封装平面：英飞凌的IHW20N120R3采用了PG-TO247的封装形式，封装尺寸为20.68mmX15.85mmX5.04mm。封装X-Ray：芯片基本信息：下图为这颗IGBT芯片的OM正面照，芯片尺寸为4.19mmX4.19mm。芯片DieCorner如下图所示。下图是芯片表面连接GatePoly的PAD。
关断时，先关断的器件会产生很高的过电压，同理开通时滞后导通的器件也会承受较高过电压[9]。(3)IGBT本身寄生参数的离散***件寄生电感、寄生电容等特性不一致，会导致不同的开关特性和电压尖峰，串联IGBT在关断过程中，关断速度较快的器件要承受很高的过电压，开通过程中导通较慢的器件也会承受较高过电压[10]。(4)IGBT串联阀杂散参数IGBT驱动及器件本身对地及相互之间的杂散电容会导致IGBT在开关延迟及dv/dt出现明显的差异，造成IGBT动态电压不平衡。(5)反向二极管恢复特性的差异IGBT内部通常反并联一个快恢复二极管，在感性负载情况下，IGBT的开通与电感续流二极管之间存在一个换流过程。
IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点。IGBT的驱动电路作为与功率器件的直接关联部分，其性能直接影响IGBT的功耗、安全性与可靠性等特性，在功率变换器内发挥相当重要的作用。而IGBT对于技术要求较高，国内企业还没有从事IGBT及其驱动电路的生产。因此，致力于IGBT驱动电路及其应用电路的研究，研制出具有高性能的IGBT驱动电路，具有重要的理论意义和实际应用价值，并带动相关产业的发展，必将产生巨大的社会效益和经济效益。该驱动电路研制成功后，可广泛应用于各类IGBT的驱动。功率器件IGBT对驱动电路有一些特殊的要求，驱动电路性能的优劣是其可靠工作、正常运行的关键。
内循环是蒸馏水，长期使用，设备内各水路不结垢不堵塞，大大减少了故障，节约了维修费用。产品能在熔炼过程中始终保持恒功率输出。它和可控硅中频调功方式不同，可控硅中频是通过调节直流输出电压，而该产品是调频率，它不受炉料多少影响，在整个熔炼过程中保持恒功率输出。尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时，更显示它的优越性，熔化速度快，炉料元素烧损少，节能效果更好，降低了铸造成本。使用维修方便。IGBT中频电源电路结构简洁，保护齐全，具备完备的故障显示功能，能迅速找到故障点，维修方便。可控硅中频炉在经济效益方面存在的缺点：可控硅中频炉故障率很高,逆变侧可控硅经常被击穿,电容器需要经常性的更换,电抗器线圈经常烧毁,每年材料费直接损失达数千元,另外在修理过程中,钢水冷却凝固,修好后重新熔炼,造成重复用电,浪费了电能,影响产量,直接造成经济损失。
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