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可控硅模快封装的好处：
1 保护芯片，通过封装能够有效保护芯片不受外界因素影响而受损，不会因为外界条件的变化而导致芯片不能正常工作，这也为更好的使用可控硅模块奠定了坚实的基础。
2 封装后，可控硅模块的芯片会通过外引出线或者是引脚与外部系统有方便和可靠的电连接，更安 全，更放心。
小于维持电流或AA2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。普通可控硅基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。我画一个简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，可控硅被触发导通。画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚。
3 将芯片在工作中产生的热能通过封装外壳散播出去，从而有效保证了可控硅模块的芯片温度能够保持在较高额度之下，不至于因为温度过高而性能下降。
4 使得可控硅模块的芯片能够与外部系统实现可靠的信号传输，从而保证了信号的完整。
若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。规则5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。规则6.假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。规则7.选用好的门极触发电路，避开3象限工况，可以大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
可以说，可控硅模块之所以会被封装起来原因主要就是保护芯片不受损，可以看出，之所以这么做也是为了能够更好的使用可控硅模块，更大程度地发挥其作用。
阻容保护阻容保护是电阻和电容串联后，，接在晶闸管电路中的一种过电压保护方式，其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性，把过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻把这部分能量消耗掉。可控硅一个关键用途在于做为无触点开关。在自动化设备中,用无触点开关代替通用继电器已被逐步应用。其显著特点是无噪音,寿命长。可控硅阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时AA2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当阳极A第二阳极A2电流减小。
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