单结晶体管的结构与特性 - 湖南省阳光电子技术学校

单结晶体管的结构与特性

单结晶体管有一个PN结和三个电极，即一个发射极和二个基极，所以又叫双基极二极管。

javascript:resizepic(this) align=center border=0>

     单结晶体管有一个重要的电气特性——负阻特性，利用这种特性可以组成张弛振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时器等多种脉冲单元电路。
    单结晶体管的内部结构：在一块高阻率的N型硅片两端，制作两个接触电极，分别叫第一基极b1和第二基极b2，硅片的另一侧在靠近第二基极b2处制作了一个PN结，并在P型硅片上引出电极E，E叫发射极。
    第一基极b1和第二基极b2之间的纯电阻，称为基区电阻，一般在2 KΩ~ 10 KΩ之间。第一基极b1与发射极E之间的电阻，在正常工作时，将随发射极电流而变化。PN结的作用相当于一个二极管。
    在阻值比较中，E-b1的阻值较大，E-b2的阻值较小；即E-b1的阻值大于 E-b2的阻值。
   用**用表测单结晶体管的阻值，第一基极b1和第二基极b2之间的正反电阻均一样，为正常，否则该单结晶体管性能不好。

您当前的位置：湖南阳光电子技术学校 -> 技术园地 -> 电子基础知识 -> 文章内容

作者：佚名来源：不详发布时间：2009-7-27 11:40:14 发布人：cswok

[] [返回上一页] [打印] [收藏]

上一篇文章：LM317参数与中文使用手册

下一篇文章：电子老师谈双向晶闸管