一、高压包之作用。
    高压包，正名是行输出变压器，有人称为行包或行变，在显示器中其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、G1等各路电压。注意偏转电流之能量提供者并不是高压包，而是S校正电容，在行管截止时，B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温高频率高电压大电流之状态，加上外部环境潮湿或多尘等因素影响，使高压包损坏几率较高。

二、引起高压包损坏之病灶。

1、包内高压滤波电容击穿。
2、包内高压线圈匝间短路。
3、包内高压硅堆漏电或击穿。
4、包内初次级线圈短路
5、包内聚焦组件老化，使聚焦及加速电压不稳定。
6、包体绝缘性能下降，使高压包对内或对外打火。

三、与高压包相关之关键词。

1、HV——阳极高压。随着显示器尺寸不同，HV电压也不同。通常14/15寸机之HV值是24KV到28KV；17寸机是29KV，19寸和21寸机是31KV到35KV。

2、FV——聚焦电压，有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得，电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦之，就分为FV1和FV2，其实是内部多设一组电位器而已。

3、SV——加速极电压，也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得，其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压，而是在包内另设绕组，或在行管C极将逆程峰值整流获得，这样做之目之是使SV/G2受到电路控制，方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时，必须采用高速整流管，否则响应不到逆程峰值，只能得到与B+一样之电压。

4、DF——动态聚焦。显示器尺寸增大时，屏幕中央和四周之聚焦就容易变得不均匀，就需要加入动态聚焦电路，使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中，动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。

5、SFR——包内聚焦组件中之FV/SV调整电位器冷端，通常是接地之，但有些机型将其用作信号取样，在高压变动时使电路作出补偿。

6、HVR——包内HV端取样电阻之冷端。此电阻直接取样于HV端，阻值大到必须兆欧表才能万用表测量。其作用也是HV变动检测。

7、HVC——包内高压滤波电容之冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样，检测高压变动。

8、G1——栅极负电压。通常在包内绕组获得，G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度，进入显象管之G1电压是-30V到-100V，关机消亮点通常也在G1控制电路内完成，使关机时G1负压变低，显象管就被截止了。注意有些机型之G1电压是固定之甚至是接地之，它们之亮度控制方式是改变三枪阴极之电压，关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压，光栅瞬时高亮，将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣，调制G1可得到较大之亮度范围，但期间白平衡不均匀；调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定，但范围较小。

9、AFC——行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制，在显示器中，送入扫描芯片之同步信号、CPU需要之行检测信号和OSD菜单所需要之行脉冲，都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出，也可以在行管C极用分压电压取得，后者故障率较高。

10、FB——高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回，也就是行回扫脉冲，在显示器中，FB电压常作为高压包输出电压之参考点，反馈回二次电源，实现B+电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起，并没有特别要求要独立取样。

11、ABL——自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组之冷端，用来检测HV之电流大小，当亮度过大时，HV电流必然增大，ABL电路检测到这个情况，就可作出反应限制亮度再增加。建议检修人员配备100K电阻量程之万用表（MF10型）或兆欧表，就可万用表测量ABL端到HV帽之电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；又可以万用表测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程没有法万用表测量高压硅堆和高压电容。

12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端之就是初级线圈，其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；而次级高压线包之线径极小而匝数极多，就容易发生匝间短路。

13、电感量——交流电流通过线圈而产生之感抗就是电感量。对直流电而言，线圈之阻抗为零（忽略线材本身之电阻率），但对于高频信号，三几圈之感抗也很大。电感量之单位是ML（毫亨）。

14、正程和逆程——简单之说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。

15、正程和逆程整流——由于正程和逆程之峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同之整流方式，所产生之电压值也就相差8到10倍。正程整流之电压低但电流大；逆程整流之电压高而电流小，但两者之输出功率相同。

16、绕组之极性——因为扫描正程和逆程之峰值不同，绕组之输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动，那么绕组之极性是厂家在引脚中已经决定了之；如果要在磁芯中加绕线圈，就不能不注意其极性了。以800*600*60之分辩率即37K行频，在磁芯中绕一圈为例，将高压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边之线头是正端，右边之线头是负端。将负端接地，在正端接以正整流可得到约20V电压，接以负整流可得到-3V电压；将正端接地，在负端接以正整流可得到3V电压，接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚，在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流，反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。

17、高压独立——高压包和行偏转分离之电路形式。在传统行输出电路中，高压电流和偏转电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型之设计将高压电路独立出来，可以设计出更高效之电路形式，实际上高压独立之高压开关管损坏机率非常低。

18、高压独立之电路结构——现在之高压独立电路大约有5种类型。

    1）采用二次电源调整之单管输出形式。以SONY-200GS为例，170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包，开关管一只单独之场效应管，这种方式与传统之行输出相类似。

    2）没有二次电源之单管输出形式。以SONY-E220为例，80V电压直接输入高压包，开关管是一只单独之场效应管，这种方式要求开关管之激励控制电路，能控制较大之占空比，以得到较大之高压调整范围。

    3）采用高电压之****对称输出方式。以EMC/CTX等机型较多采用，180V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管，该管导通时初级线圈储能；在初级线圈两端反接一只P型场效应管，输入反相之激励，在N型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速释放，次级就感应出电压。

    4）采用低电压之双管对称输出方式。以飞利浦旧机芯较多采用，80V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管；另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；另一路倒相后驱动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间之关系是一只导通则另一只截止。
  
    5）采用储能变压器之****输出方式。这种方式 为复杂，以三星、DELL旧机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管之C极，B极加以行激励，E极就输出以行频变化之方波，峰值仍是190V，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管E极也接到高压包初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能，在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化之方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正之开关管是场效应管。

19、高压独立高压包之绕组特点——由于在高压包内之电流近似于方波，效率很高，它之初级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；同时由于正程和逆程之差别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到之电压就有所不同，与上述15、16项对比，没有论绕组在哪头接地，没有论正整流还是负整流，所获得之电压值基本一样（类似于市电之交流变压器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高之电压，在800*600*60分辩率下，每圈之电压是6V到8V，比传统高压包在正程时每圈仅获得3V之电压值要高。

四、如何判断高压包是否损坏。

    根据高压包病灶之6个类型，损坏后之症状略有不同。

1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏之 大成因，大约有四成之高压包损坏与它有关。包内高压电容之容量约为2700P，比显象管锥体所形成之电容1600P高一些，两个电容并联在一起总容量就有4300P以上，可以帮助减少屏幕之呼吸效应。由于包内高压电容之绝缘介质之绝缘强度远及不上显象管之玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧之阻值。这是因为电容内之绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表设10K档，测高压帽对地或对HVC端之阻值，好时为没有穷大，如出现阻值，可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间歇啸叫，并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增，ABL端子所外接之电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏之明显表徵。

2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏之原因，由于包内次级短路，造成行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生，因此包体发热严重，很容易判断。如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作，诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全之。

3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后，不经整流之交流高压加在滤波电容上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成之表象很接近，相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后，ABL电阻并不一定烧毁，但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？只能使用兆欧表或带有100K量程之万用表，将黑笔接地或ABL端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接ABL端），红笔接高压帽，好时会有10兆欧左右阻值，（高压硅堆导通之内阻），将表笔对调，万用表测量时表针会划动一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5兆欧），就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。

4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了，B+被直接短路到地了，结果与行管击穿一样。

5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦组件损坏了。

6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电，HV电压瞬音下降，势必造成图像大小变动，甚至锁机或烧行管等。

五、高压损坏后之补救工作。

    高压包之有些损坏情形是可以补救之，在这里简单说一下。

    第5类损坏情形，聚焦组件老化。现在大家可以买到一种单焦或双焦之外接聚焦器，其中双焦之还带DF动聚输入。它之原理与包内聚焦组件一样。注意将聚焦组件取代后，原来之线头要做好绝缘处理，用热熔胶封口即可。

    第1类损坏情形，高压电容击穿。记得四五年前，显示器高压包奇缺，而且当时大部分高压包之HVC端都是接地之，这就给高压包修补带来很大之空间，我当时潜心钻研此技术，终于获得成功，仅02年一年，就修补了200多只高压包，只要HVC端是接地之，修补成功率就是。不过返修率也颇高，半年内达百分之四十，为什么会这样呢？下面再说。在测得高压帽对地电阻很低，并且HVC端接地后，就可大胆将高压包挖补修复。方法很简单，就是将损坏之高压电容去掉。用电钻对着HVC端钻孔，钻头大小随意，一般我用6到8MM，顺着HVC端子引线（有时HVC引线会横着走到其它地方，不理它跟着找到尽头）打孔深度不能超过1CM，否则打穿了高压电容内层，在填充绝缘物时就会不断冒出气泡，造成修补失败。打孔之目之是将HVC端与外界隔离，使高压封在包体内。打好孔后就是 后也是 重要之一环——填充绝缘物。我用之是环氧树脂，与高压包内所用之物料一样，当然级别就差多了。将高压包倒着垂直放置，使引脚水平，倒入调配好之环氧树脂，份量 好是将引脚3MM以下全部封住（目之是使HVC端距离外界更远一些），一天后可完全硬化，两天达到 大强度，就可以上机使用了。
造成修补后返修率高之并不是修补方法本身，而是我使用之填充物——环氧树脂。现在市面上买不到与高压包内所用之同级之环氧树脂，这些高级别树脂可抵受10万伏高压，我能买到E-44级之树脂，绝缘强度勉强够，但如果调配比例稍有误差，强度就会下降，被高压击穿就在所难免了。大家如果能找到更好之绝缘物料，修补方法根本是万试万灵。现在高压包来货越来越多，而且价格很便宜，如果能买到包，修补就不要考虑了。也许大家会问，如果HVC端不接地，可否修补呢？其实是可以之，问题是如果HVC端是信号取样，去掉后必须要另找替代取样，或增加高压电容获取HVC端子，或在高压包磁芯上绕线匹配后取得信号，其麻烦程度还不如改一只包算了。

六、改高压包之准备工具。

1、电容电感表。 要紧之是电感表，可以万用表测量原包与改包之绕组电感量，如果两者所有绕组电感量相差在10%以内，则成功率非常高。

2、万用表。（这是句废话了，拿烙铁之哪个没有表啊？），我想说之是， 好配备有100K电阻量程之表。

3、50V/2A之外部直流电源。之所以用50V之电压，是因为该电压值较安全之余，还能产生勉强够之高压，让屏幕有显示，如果还有其它之故障隐患，便可在故障扩大之前看到并加以解决。

七、改高压包前之资料搜集。

1、高压包之引脚功能定义。

   高压包一般是10个常规引脚，外加聚焦组件之2到5个引脚。将高压包引脚面向自己，U型口朝下，顺时针数分别是1到10脚。一般高压包引脚定义如下：

B+/+B——高压包初级线圈之输入端，接二次电源之输出。

+B2——高压初级线圈之输入端抽头，没有二次电源之机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下之高压稳定。一般用于较旧款之显示器，如ACER-34T。

+B3——高压初级线圈之输入端抽头，没有二次电源之机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下之高压稳定。一般用于较旧款之显示器，如ACER-34T。

VCP——高压包初级线圈之输出端，接行管。

D/C——接阻尼管和逆程电容。大家不要被这个引脚吓倒，其实只是高压包初级线圈之抽头，通常距离VCP端只有2到3匝，用来改善阻尼线性，

GND——接地。

NC——空脚。（内部空脚或外部不用此引脚）

G1——负压100到200V输出。在包内绕组约10匝。

AFC——行逆程脉冲输出。在包内绕组通常是2匝，电压峰值约35V。

FB——二次电源取样输出。在包内绕组通常是3匝，电压峰值约50V。

+5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+。

-5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+。

ABL——内接高压线圈之冷端。

300V——动聚电路之供电。电压值是200到600V。有时在包内绕组输出，有时在行管C极整流获得。

DF——动态聚焦电压输入端。

SFR——包内聚焦组件中之FV/SV调整电位器冷端，通常是接地之，但有些机型将其用作信号取样。

HVR——包内HV端取样电阻之冷端。此电阻直接取样于HV端。

HVC——包内高压滤波电容之冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样。

FVR——包内聚焦极取样电阻之冷端。高档机所独有，用来检测FV电压。

2、提取原机高压包之资料。对照包体引脚和电路板或电路图分析原包数据，如果电路基础较差不能作出分析，就绝对不要改包了。

1）、确定原机高压电路是否高压独立。这很重要，因为高压独立之高压包初级绕组匝数较少，并且侧引脚通常不接地，而用作取样信号。如果换上不是高压独立之包，肯定不成功。反之，用高压独立之包换入非高压独立之电路，开机肯定会因初级绕组匝数少而高压过高，产生打火并可能扩大故障。高压独立之高压包将在后面另行分析。

2）、用万用表万用表测量并记录原高压包之通脚。

3）、对照电路板记录原高压包之脚位功能。如果电路板上没有标记，就要进行分析，方法如下：

    接行管之就是VCP脚，通常高压包之第1脚就是VCP，但有些机型如飞利浦，VCP可能在第9或10脚，分析时只要认准行管C极所接之脚就行。

    接阻尼管或逆程电容之就是D/C脚，大部分电路之阻尼管和逆程电容都与行管C极接到一起，如果待修机之阻尼逆程与行管分开又怎么办呢？其实D/C脚对电路之影响微乎其微，改包时如果新包没有D/C脚，可将阻尼逆程与行管并接，不会有任何问题。
   
    接二次电源输出之就是B+脚，注意行中心校正电路需要以B+为中点，有些电路就会有两路B+输入，分析只需将高压包拆离电路，认准与VCP端相通之引脚即可。

    通过二极管整流，包括正负整流，而其滤波电容与B+相接之，就是+5或-5V引脚，由于这一电路只用于行中心之调整，使光栅（注意：并非是图像）于屏幕正中显示，所以完全可以忽略该引脚，新包如有此脚之，接上没有防，如没有，就将其电路悬空。实际上很多机型都取消了行中心调整电路了，图像之左右偏移靠控制行场扫描芯片之行相位就有很大之范围。

    接地之当然是GND。

    没有外接电路之就是NC脚，NC脚可能是内部没有通路，也可能是外部没用上该引脚；另外有一种NC方式是它在包内有绕组，但在电路上只有少许零件，如小容量电容和较大电阻接地，跟着接一根线引到显象管周围，之后又再没有去向，这样之电路作用是检测高压泄漏，但我想X射线保护电路本身在工作就行了，再附加这样之线路没什么用，并且改包肯定会变动原电路之啦，所以我也称这种脚为NC脚，改包时碰到这种电路，就将它悬空。

    通过二极管作负整流并且其滤波电容正极接地之就是G1脚，G1脚比较容易辩认，其滤波电容容易干涸漏液，大家都换过不少了。有时候G1脚在整流前会外接高压泄漏检测线，经常圈在高压帽周围，与高压很接近。我有点不明白这种设计有什么好处，当天气潮湿高压帽出现打火时，G1脚首先就串入了高压，其结果是整流管击穿，甚至滤波电容爆炸，由于G1负压消失，光栅就会高亮，并且关机有高亮点，用户不明白这种故障之遗害，蒙懂间开关多几次机，显象管正中央就烧伤出黑点了。厂家这样设计是保护显象管，还是在制造机会损坏它？见人见智了。

    与包内任何引脚不相通并且外接一只0.1U到1U电容到地之就是ABL脚，ABL脚是改包时唯一不用头疼之引脚，所有高压包之ABL脚都一样，绝对不用担心改后与电路不匹配。

    通过二极管作正整流并且其滤波电容耐压很高之就是DF供电脚，DF供电脚电压多数是250V到350V，实际上该电压允许有较大之偏移，可以相差30%而对动聚没任何影响。DF供电脚由于电压较高，其绕组多数会与B+相串联，这样就可以减少线圈匝数，当然也有之多绕些线，冷端直接到地。

    高压包侧引脚之 上面之通常是SFR脚，绝大多数电路会将它接地。

    高压包侧引脚之 下面之通常是HVC脚。

    如果原高压包只有3只侧引脚，则中间一只肯定是DF脚；如果原包有4只侧引脚，就要分析电路找出DF脚。动聚电路之原理是在行偏转支路中串入变压器，耦合行脉冲到聚焦极中，所以找到与动聚变压器相接之脚就是DF脚，并且它之电压较高，通常会有1KV之滤波电容。

    如果原高压包有4只侧引脚，在排除出SFR、HVC和DF脚外，剩下之就是HVR脚了。HVR脚总是与HVC脚组合来取样，HVR取样直流，HVC取样交流，两者或直接并联，或通过阻容元件并联。当然如果原机这些脚都接地，就不用去考虑它了。

    AFC脚和FB脚较难分辨，在电路中两者外接零件也很相似,通常是在整流前用阻容网络匹配后作为AFC信号，而整流后则作为二次电源取样电压或X射线保护取样电压，正因为是二次电源之取样，所以必须慎重分析。如果原机只有一支AFC电路，则不需要多费心，如果找到两路相类似之，就可以这样分析，通往CPU、OSD和行场扫描芯片之逆程脉冲肯定是AFC，整流后输入二次电源芯片（可能也是行场扫描芯片）之就是FB。

4）、用电感表万用表测量原高压包之通脚电感量，原则是一定要确定万用表测量点，比如万用表测量初级线圈，就一定要以VCP点为固定一端，再测其与B+或其它脚之电感量；而万用表测量次级线圈，就一定要以GND点为固定一端，再测其与其它引脚之电感量。次级线圈由于有几个绕组，如果确定不了GND端，则其它引脚互测之电感量会被抵消或叠加。有时次级之几个绕组并不一定只有一个GND端，但其在电路上仍会被接地，需要看电路上之走向确定GND端。

5）、原机高压包只有在初次级线圈短路之情况下，才能影响到其通脚电感量，其它如高压电容击穿、硅堆击穿、高压线包短路、打火等都不会影响其原来之电感量。

3、将原机高压包资料包括通脚和引脚功能与新包对比，选择相似度较高之作下一步分析。

1）、新包也就是待改包之资料需要平时用心搜集，特别是引脚功能之搜集，因为通脚之相同基本上决定不了什么，而引脚功能之相同就可以很大程度提高改包成功率。如果通脚与引脚功能完全相同，再测一个电感量，那么这个包改进去能好工作之机会就非常大。这是我平常改包之之首选方案。实在找不出通脚与引脚功能完全一样之包时，才考虑改线或另加绕线方案。我在后面部分会把自己平常搜集之高压包引脚功能，及高压包之直接代换型号上传，这也许正是各位所 希望看到之了，当然了，那只是代用，不用改，放上去就行。

2）、如果没有新包之引脚功能资料，也可以分析得出，这就需要优先选用一些初次级线圈较简单之包来改。比如初级线圈只有B+和VCP两个通脚，如1-2，那么第1脚肯定是VCP端。次级线圈只有AFC、G1和GND三个通脚，如3-4-5或6-8-9等，那么要用到电感表来分辨，下面将有详述。这种包我本人称之为通用型高压包，在其基础上，很容易加绕出其它功能引脚来。

3）、线圈匝数与电感量之关系。以在磁芯上绕一圈为例，所得到之电感量约为0.003ml，两匝就是0.006ml了，而AFC绕组通常只能两匝，也就是说AFC电感量为0.006ml，所得到之峰值电压约36V。如此类推，G1电压约-200V，所需绕线约10匝，电感量约0.04ml；FB绕组通常绕3匝，电感量约0.009ml。以上数据会因磁芯磁通量大小而有误差，具体操作可在该磁芯上绕一圈线测其一匝电感量，得到基本数据后就可能推断包上其它引脚之功能了。

4）、将所有信息汇总到草图上，分析得到两只包之数据如果相距不大，就可以上机试验改用效果了。