当电压在合闸与分闸临界状态波动时，接触器处于似合似分状态，便会不断地振颤，造成触头熔焊或烧毁，而使电机烧坏。而永磁交流恒流源的吸持，完全依靠永磁力来实现，一次完成吸合，电压波动不会对永磁力产生影响，要么处于吸合状态，要么处于分闸状态，不会处于中间状态，所以不会因振颤而烧毁主触头，烧坏电机的可能性就大大降低。⑤.寿命长，接触器寿命和可靠性主要是由线圈和触头寿命决定的。传统交流恒流源由于它工作时线圈和铁芯会发热，特别是电压、电流、磁隙增大时容易导致发热而将线圈烧毁，而永磁交流触器不存在烧毁线圈的可能。触头烧蚀主要是由分闸、合闸时产生的电弧造成的。与传统接触器相比，永磁交流恒流源在合闸时，除同样有电磁力作用外。
实际上，T1MOS管在此的作用也就是为了给T2提供一个稳定的栅-源电压，即起着一个恒压源的作用。因此T1应该具有很小的交流电导和较高的跨导，以保证其具有较好的恒压性能。T2应该具有很大的输出交流电阻，为此就需要采用长沟道MOSFET，并且要减小沟道长度调制效应等不良影响。上右图是用BJT构成的一种基本恒流源电路。其中T2是输出恒定电流的晶体管，晶体管T1就是一个给T2提供稳定基极电压的发射结二极管。当然，T1的电流放大系数越大、跨导越高，则其恒压性能也就越好。同时，为了输出电流恒定（即提高输出交流电阻），自然还需要尽量减小T2的基区宽度调变效应（即Early效应）。另外，如果采用两个基极相连接的p-n-p晶体管来构成恒流源的话。
香坊大电流交流恒流源至茂科技交流恒流源
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且Φ2滞后Φ1，使合成吸力始终大于反作用力，从而降低了振动噪音，但也增加了相应铜损。交流恒流源的功率主要由吸持功耗和吸合功耗两部分，虽然线圈在吸合起动瞬间功耗较大，但时间很短（几十ms）；工作时间一直处于吸持保持状态（此时能量损耗主要集中在吸持状态铁损上）。正因如此如能降低交流恒流源工作中的吸持功耗就可以达到节能目的，根据此原理，节电器分为：电容式、变压器式、占空比（改变）式。交流恒流源与相应节电器配套使用，使接触器在直流状态吸持运行，从而达到节能目的。节电器因交流恒流源电磁线圈电磁能以及节电器内部器件限制，一般适用于额定电流60~600A交流恒流源，低于60A的交流恒流源因其电磁线圈所贮有电磁能在直流运行时不能维持其吸合；
接触器处于似合似分状态，便会不断地振颤，造成触头熔焊或烧毁，而使电机烧坏。而永磁交流恒流源的吸持，完全依靠永磁力来实现，一次完成吸合，电压波动不会对永磁力产生影响，要么处于吸合状态，要么处于分闸状态，不会处于中间状态，所以不会因振颤而烧毁主触头，烧坏电机的可能性就大大降低。⑤.寿命长，接触器寿命和可靠性主要是由线圈和触头寿命决定的。传统交流恒流源由于它工作时线圈和铁芯会发热，特别是电压、电流、磁隙增大时容易导致发热而将线圈烧毁，而永磁交流触器不存在烧毁线圈的可能。触头烧蚀主要是由分闸、合闸时产生的电弧造成的。与传统接触器相比，永磁交流恒流源在合闸时，除同样有电磁力作用外，还具有永磁力的作用，因而合闸速度较传统交流恒流源快很多。
那么在IC芯片中这两个晶体管可以放置在同一个隔离区内，这将有利于减小芯片面积，但是为了获得较好的输出电流恒定的性能，即需要特别注意增大横向p-n-p晶体管的电流放大系数。因为输入级需要是恒压源，所以可以采用具有电压饱和伏安特性的器件来作为输入级。一般的pn结二极管就具有这种特性——指数式上升的伏安特性；另外，把增强型MOSFET的源-漏极短接所构成的二极管，也具有类似的伏安特性——抛物线式上升的伏安特性。在IC中采用二极管作为输入级器件时，一般都是利用三极管进行适当连接而成的集成二极管，因为这种二极管既能够适应IC工艺，又具有其特殊的优点。对于这些三极管，要求它具有一定的放大性能，这才能使得其对应的二极管具有较好的恒压性能。
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