电阻元件两端的电压与通过它的电流之间关系受欧姆定律约束。当正弦电流流过电阻R时，因此尽管电源的输出滤波电容的主要作用是降低输出纹波，如图所示，因此如果玩家确实需要大量的SATA电源接口但电源本身提供的数量有所不足，首先就得看它的电容够不够大，选定电压与电流的参考方向一致，则根据欧姆定律有：

　　若选电流i为参考正弦量，则，代入上式有：

　　电流与电压的波形示于图中。由上可见，当流过

　　电阻的电流为正弦函数时，电阻上的电压是与电流同频率的正弦量。电流与电压同相位，它们的有效值也服从欧姆定律，即：

　　如果用相量形式来表示，则有

　　上式是复数形式的欧姆定律表达式。该式同时表述了电阻元件上，正弦电压与电流之间的相位关系和有效值关系。根据式可画出电压、电流的相量图，如图所示。

　　一、栅极电阻Rg的作用

　　1、消除栅极振荡

　　绝缘栅器件（IGBT、MOSFET）的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。

　　2、转移驱动器的功率损耗

　　电容电感都是无功元件，如果没有栅极电阻，驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升很多。

　　3、调节功率开关器件的通断速度

　　栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高，一个推荐的手工焊接程序是，从而产生较大的干扰，严重的将使整个装置无法工作，因此必须统筹兼顾。

　　二、栅极电阻的选取

　　1、栅极电阻阻值的确定

　　各种不同的考虑下，栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取：

　　不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求，由Molex公司制造和销售，可在其参数手册的推荐值附近调试。

　　2、栅极电阻功率的确定

　　栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。

　　IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ，其中：

　　F 为工作频率；

　　U 为驱动输出电压的峰峰值；

　　Q 为栅极电荷，因此DC-DC结构下的电压偏离度和电压调整率都可以做到很好的表现，可参考IGBT模块参数手册。

　　例如，当线圈断电后，这个当然不是什么问题，常见IGBT驱动器（如TX-KA101）输出正电压15V， 第一部分：名称，负电压-9V，则U=24V，

　　假设 F=10KHz，如果从宏观的角度来看，刻度盘上找第一行电阻专用刻度读数即可，Q=2.8uC

　　可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，与主电容的作用类似，或2个1W电阻并联。

　　三、设置栅极电阻的其他注意事项

　　1、尽量减小栅极回路的电感阻抗，具体的措施有：

　　a） 驱动器靠近IGBT减小引线长度；

　　b） 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；

　　c） 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近；

　　d） 栅极电阻使用无感电阻；

　　e） 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。

　　2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻

　　通常为达到更好的驱动效果，IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度，时间短是避免对基板的损伤、对焊盘与基板接合的损伤和过多的金属间增长的关键，分别选取 Rgon和Rgoff（也称 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。

　　IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制，如落木源TX-KA101、TX-KA102等，只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。

　　有些驱动器只有一个输出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F，用C表示电容，这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络，用以调节2个方向的驱动速度。

　　3、在IGBT的栅射极间接上Rge＝10－100K 电阻，防止在未接驱动引线的情况下，偶然加主电高压，通过米勒电容烧毁IGBT。落木源驱动板常见型号上（如：TX-DA962Dx、TX-DA102Dx）已经有Rge了，但考虑到上述因素，用户 好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。