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| 厦华TF2955彩电电路原理 |
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| 开关电源 1.启动： 交流输入的220V市电电压，经R505，C512，VD511，C510，地，整流桥堆D505内其中一个二极管进行半波整流，当N502—G9656④脚的电压达到17V时，N502开始工作，开关电源起振，由VD510，C510，V501为N502④提供+18V的稳定电压，启动的时间取决于R505，C512，C510的参数大小。 2.稳压： 当某种原因使开关变压器的输出B+电压130V上升，经取样电阻R521，RP520，R523取得的电压也上升，因V520 e极接6V的基准电压源VDZ503，所以V520 Ib电流加大，Ic电流也加大，（Ic=βIb），流过光耦N501内的发光二极管的电流也加大，光耦N501热地部分的ce极Ic电流也加大，N502⑤脚的电压上升，N502内部的开关管导通时间减小，开关变压器T511⑤⑦绕组（储能绕组）存储的电磁能降低，因此次级经整流滤波的电压也下降， 终使B+稳定在设计的稳压范围内，如果是B+电压下降，那么稳压过程以上述的相反。 3.保护： 由VD511(24V)稳压管及VD510,C510组成次级绕组的过压保护:N502④脚的过压阀值是22.5V,但必须持续8μS方能动作，此保护有锁存功能，需断电后才能重新开机；由R519，R520组成过流保护电路:当N502内部VMOS开关管的Ib电流过大，在R519，R520上进行I/V变换，当R519，R520的电压超过0.73V以上，开关管由导通变成截止，因此R509，R510阻值的大小决定了开关管的 长导通时间，即带载能力，注意过流保护是没有经过N502内部锁存的过流保护只会使开关变压器次级的输出电压严重下降。过热保护：当厚模块N502如果与散热片接触不良或使用环境温度过高，超过145℃，持续8μS，N502内部的过热保护将停止开关管的工作，有锁存功能，须断电等温度降下来才能再开机，因此更换N502须在背面涂导热硅脂，螺丝必须拧紧，以免造成隐蔽性故障；欠压保护：开关电源起振后，若是因某种原因（如次级供电存在短路）使N502④脚的电压降下来，低于10V，N502的欠压保护电路将动作，使开关电源停振，同样有锁存功能，这实际上也是一种间接过流保护。 4.延迟导通 由VD507，VD508，R507，C508，VD509构成，其中VD509起与过流保护电路的隔离作用，在N502内部VMOS管截止的时候，开关变压器T511向次级各绕组释放能量，能量释放结束后，由T511⑦⑤脚的初级绕组与C517（容量1n0）串联谐振，当谐振产生后的1/2周期（即C517上电压 低）使N502内部的开关管导通，开关管和变压器的损耗将 小，因此加入VD507，VD508，R507，C508，VD509在开关管截止时经VD507，VD508，R507，C508整流滤波得到一个微小的直流电压加在N502⑤脚，使N502内部的VCOMS管可靠截止，调整VD508，R507，C508的参数，即能改变延迟导通时间，该电路有问题将使开关变压器/厚膜块N502工作时温度上升，开关变压器有“吱吱”的响声，温度上升，原因：开关变压器的铜损耗，铁损加大，电感量下降，VMOS管ID电流加大引起。5.待机/开机控制： 待机状态下由N101（25）脚输出低电平，V551导通，+5V经V551ec极，R561使V552导通，由R529，VD528组成的待机控制支路，经V552ce极到地，待机控制电路起作用，VD528（6.8V）的稳压管反向击穿，N501的发光二极管发光量加大，热地部分N502⑤脚的电压上升，开关管导通时间下降，次级B+等供电电压下降，当C564的电压下降到低于VD528的反向击穿电压（6.8V），光耦N501的发光二极管发光量下降，N502⑤脚的电压也随之下降，开关电源重新进入强振荡（导通时间较长）的工作状态，重新对次级各滤波充电，当C564的电压升到VD528的反向击穿电压，N501的发光二极管发光量又加大，N502又进入弱振荡状态，如此循环，待机对次级的各供电电压比正常开机都要下降许多，电压下降的大小主要有C564，R525，R529，VD528的参数决定，正常开机收看状态，N101（25）脚输出高电平，V551，V552均截止，待机控制支路不起作用，需要指出的是：N101，LA76930，CPU部分的供电电压由三端稳压器N552提供+5V的稳定电压，不管是开机或待机状态，该电压都不能有波动（实际有微小的波动），否则CPU的工作状态将不正常（主要是复位电路误动作引起）。 本资料共5页,当前在第1页 1 2 3 4 5 [
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作者：佚名 来源：不详 发布时间：2009-6-19 16:14:33 发布人：cswok |
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