| ADV 美国先进半导体公司
AEG 美国AEG公司
AEI 英国联合电子工业公司
AEL 英、德半导体器件股份公司
ALE 美国ALEGROMICRO 公司
ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司
AME 挪威微电子技术公司
AMP 美国安派克斯电子公司
AMS 美国微系统公司
APT 美国先进功率技术公司
ATE 意大利米兰ATES公司
ATT 美国电话电报公司
AVA 美、德先进技术公司
BEN 美国本迪克斯有限公司
BHA 印度BHARAT电子有限公司
CAL 美国CALOGIC公司
CDI 印度大陆器件公司
CEN 美国中央半导体公司
CLV 美国CLEVITE晶体管公司
COL 美国COLLMER公司
CRI 美国克里姆森半导体公司
CTR 美国通信晶体管公司
CSA 美国CSA工业公司
DIC 美国狄克逊电子公司
DIO 美国二极管公司
DIR 美国DIRECTED ENERGR公司
LUC 英、德LUCCAS电气股份公司
MAC 美国M/A康姆半导体产品公司
MAR 英国马可尼电子器件公司
MAL 美国MALLORY国际公司
MAT 日本松下公司
MCR 美国MCRWVE TECH公司
MIC 中国香港微电子股份公司
MIS 德、意MISTRAL公司
MIT 日本三菱公司
MOT 美国莫托罗拉半导体公司
MUL 英国马德拉有限公司
NAS 美、德北美半导体电子公司
NEW 英国新市场晶体管有限公司
NIP 日本日电公司
NJR 日本新日本无线电股份有公司
NSC 美国国家半导体公司
NUC 美国核电子产品公司
OKI 日本冲电气工业公司
OMN 美国OMNIREL公司
OPT 美国OPTEK公司
ORG 日本欧里井电气公司
PHI 荷兰飞利浦公司
POL 美国PORYFET公司
POW 美国何雷克斯公司
PIS 美国普利西产品公司
PTC 美国功率晶体管公司
RAY 美、德雷声半导体公司
REC 美国无线电公司
RET 美国雷蒂肯公司
RFG 美国射频增益公司
RTC 法、德RTC 无线电技术公司
SAK 日本三肯公司
SAM 韩国三星公司
SAN 日本三舍公司
SEL 英国塞米特朗公司 | DIT 德国DITRATHERM公司
ETC 美国电子晶体管公司
FCH 美国范恰得公司
FER 英、德费兰蒂有限公司
FJD 日本富士电机公司
FRE 美国FEDERICK公司
FUI 日本富士通公司
FUM 美国富士通微电子公司
GEC 美国詹特朗公司
GEN 美国通用电气公司
GEU 加拿大GENNUM公司
GPD 美国锗功率器件公司
HAR 美国哈里斯半导体公司
HFO 德国VHB联合企业
HIT 日本日立公司
HSC 美国HELLOS半导体公司
IDI 美国国际器件公司
INJ 日本国际器件公司
INR 美、德国际整流器件公司
INT 美国INTER FET 公司
IPR 罗、德 I P R S BANEASA公司
ISI 英国英特锡尔公司
ITT 德国楞茨标准电气公司
IXY 美国电报公司半导体体部
KOR 韩国电子公司
KYO 日本东光股份公司
LTT 法国电话公司
SEM 美国半导体公司
SES 法国巴黎斯公司
SGS 法、意电子元件股份公司
SHI 日本芝蒲电气公司
SIE 德国西门子AG公司
SIG 美国西格尼蒂克斯公司
SIL 美、德硅技术公司
SML 美、德塞迈拉布公司
SOL 美、德固体电子公司
SON 日本萦尼公司
SPE 美国空间功率电子学公司
SPR 美国史普拉格公司
SSI 美国固体工业公司
STC 美国硅晶体管公司
STI 美国半导体技术公司
SUP 美国超技术公司
TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司
TEL 德国德律风根电子公司
TES 捷克TESLA公司
THO 法国汤姆逊公司
TIX 美国德州仪器公司
TOG 日本东北金属工业公司
TOS 日本东芝公司
TOY 日本罗姆公司
TRA 美国晶体管有限公司
TRW 英、德TRN半导体公司
UCA 英、德联合碳化物公司电子分部
UNI 美国尤尼特罗德公司
UNR 波兰外资企业公司
WAB 美、德WALBERN器件公司
WES 英国韦斯特科德半导体公司
VAL 德国凡尔伏公司
YAU 日本GENERAL股份公司
ZET 英国XETEX公司
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