[导言]

跟随着摩尔定律，计算机硬件性能一直保持了高速发展，但惟有存储技术始终没有太大突破，传统之机械式硬盘一直沿用着古老之“温彻斯特”结构，在其他组件之速度持续提高之形势下，硬盘速度已经越来越凸显成为系统性能瓶颈。

随着去年9月Intel发布全球首款SSD固态硬盘产品，这一瓶颈得以突破，本站曾在第一时间通过《崭新之时代 Intel原厂固态SSD硬盘抢先评测》一文为大家做了详细介绍。没有可否认SSD固态硬盘没有论在性能还是稳定性方面较传统机械式硬盘拥有没有可比拟之优势，然而自首款SSD推出至今之一年时间里，传统机械式硬盘依然占据着主流消费市场，虽然期间各大厂商均推出了不少各具特色之SSD产品，但是SSD固态硬盘依然没有法得到全面普及，阻碍其全面普及之因素主要有两方面：容量和价格，只有不断之缩小与传统机械式硬盘容量及价格上之差距，才能为SSD固态硬盘之全面普及铺平道路。

前不久Intel正式发布了全球首批基于34nm MLC NAND闪存新工艺之固态硬盘。从50nm进化到34nm，从技术角度上是更小之核心面积和更高级之工程设计，对消费者来说则是更低之价格：新旧产品之间之差价幅度 高超过60％。首批34nm固态硬盘只有2.5寸主流系列X25-M，容量仍保持在80GB和160GB，但改用了新之控制器和固件，性能因此大有提升，比如读取延迟从85微秒缩短到65微秒，写入延迟从115微秒缩短到85微秒，4KB随机读取IOPS 35000、写入6600(80GB)/8600(160GB)，抗冲击力也从1000G/0.5s提高到1500G/0.5s，不过持续读写速度仍为250MB/s和70MB/s。在功耗方面，34nm X25-M之负载功耗保持150mW不变，但因为新控制器之缘故，待机功耗从60mW增加到了75mW，新控制器采用了没有卤素工艺，因此也较上一代产品更为环保。

[34nm X25-M SSD固态硬盘赏析1]

近期本站评测室就收到了Intel刚刚发布之34nm工艺第二代固态硬盘X25-M(下称X25-M G2)。

简单之#*装

简单之#*装

两块X25-M G2

下边我们对比第一代50nm工艺产品(下称X25-M G1)，看看内外部构造何不同。

从外表上看，X25-M G2抛弃了此前之黑白两色方案，改为银色和白色，据说更加环保。

X25-M G2之四周边框上还加装了塑料垫圈(高科技塑料圈)，用于安装在9毫米2.5英寸驱动位，拧下四周之螺丝将其拿掉后可安装在7毫米2.5寸驱动位里。

[34nm X25-M SSD固态硬盘赏析2]

今天对比之两款X25-M都是160GB容量，但内部构造大为不同。50nm X25-M G1 PCB正反两面各安装了10颗MLC NAND闪存芯片(编号“29F64G08FAMC1”)，单颗容量8GB，而34nm X25-M G2之单颗芯片容量翻番到了16GB(编号“29F16B08JAMD1”)，因此只在正面安装了10颗，背面留空。很显然，一旦Intel和美光联合投资之34nm NAND生产线完全开工，Intel就可以再放上去10颗芯片，推出320GB型号。

旧

新

装有控制器之正面大同小异，但X25-M G1在闪存芯片和控制器周围使用之黑胶状物体也不见了，但还不清楚这东西之具体用途，可能是一种保护措施，也可能是辅助散热手段。

旧

新

X25-M G2使用了新控制器，编号从“PC29AS21AA0”改为“PC29AS21BA0”，不过物理封装没有任何变化。

旧

新

板载缓存变化不小，之前用之是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3)，现在则改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪，容量上去了，速度却下来了。

旧

新

两代固态硬盘参数对比

[SSD控制器分析]

现如今之固态硬盘产品是越来越多，不过和很多行业之情形一样，真正掌握核心控制器技术之并没有几家，很多厂商都是直接采纳诸如三星、Indilinx、JMicron之现有方案，但Intel之一直都是只为自己所用，不像三星、Indilinx那样授权卖给其他厂商。

Corsair P64和OCZ Summit使用之都是三星PB22-J控制器，拥有8个硬连接通道。

PhotoFast G-Monster V4S 32、Crucial CT64M225、OCZ Vertex Turbo 120则基于Indilinx Barefoot控制器，虽然物理通道只有4个，但每个都能处理16个虚拟通道。

Intel X25-M G2控制器

Intel X25-M G2控制器之具体频率及架构没有公布，只知道没有论SSD容量大小，其控制器内部数据通道都是10个，而JMicron控制器方案现在使用得很少，不再加入。

以下就是市面上常见之一些固态硬盘和控制器：

[Windows 7 Trim优化命令]

在新一代之X25-M固态硬盘中，Intel还做出了一项非常重大之改进。Intel决心去除长期损害SSD性能之一个诟病——区块重写损失。在固态硬盘长期使用时，会产生许多磁盘碎片，其存取性能会远不如从前。这是因为在闪存芯片中，4KB之页会组成512KB之块。另外也可以直接对页进行写入，但他们必须是空之。在写入操作时，如果一个块中被一个页所占据，那么驱动器就会重写整个块。当读取较大区块之时候，它会被直接放在缓存中，然后在缓冲中进行修改， 后在将整个块进行回写操作。这样繁琐之存储区块操作需要占用更多之时间，同时也会消耗缓存之写入性能。

有读者会发问，固态硬盘中有许多空闲之存储区域，这里有大量之未被占用之页，可以直接对其操作，这样不就行了？但小编我很遗憾之告诉你，这不可能。当Windows删除一个文件之时候，它并不会真之从驱动器上抹去这个文件。在闪存芯片中也是如此。它会被标记成“已删除”，但是其内容不会真之被抹掉。从技术角度而言它仍然霸占着这些存储空间。这也就是为什么通常我们之SD、CF卡在数码相机中，不小心将照片删除后，仍然可以完美恢复之原因。因此闪存控制芯片会发现这些被“存储”着之已删除文件，并且将这些块视为大容量区块，并频繁之在缓冲中挪移。

在这里，Intel使用了几个方法来抵消随着SSD之使用不断产生出之磁盘碎片文件。首先一个方法就是垃圾收集算法，就像是磁盘碎片整理一样，它会不断之试图清洗SSD内之文件碎块。而上文提及之减少潜伏期对于SSD来说显得有效之多。而全新之大容量缓存也有助于改善块之重写性能，并且提升SSD之整提效能。

另外，Intel通过更新固件来支持一项新之技术TRIM，它是Windows 7中所特有之一项技术。通过TRIM，当闪存芯片内之文件被删除时，其真正之文件也一并被“洗劫一空”，固态硬盘控制器不再仅仅是简单之为文件添加上“已删除”之标记。保证驱动器内都是洁净之空闲空间。

但不幸之时候，Intel并没有针对以前50nm制造工艺之X25-M推出相应之改进固件。全新之固件可能还在紧锣密鼓之研发之中。而除了刷新固件支持Windows 7之外，Intel也推出了SSD工具箱，让你可以对固态硬盘进行微调。例如针对Windows XP和vista之磁盘碎片整理工具等。目前Indilinx也提供类似之程序，而这些新生代SSD之磁盘碎片整理工具还要经历AMD、NVIDIA和Intel各家主流芯片组之兼容性考验。

[测试平台及测试方法]

测试平台方面我们选择了定位较为高端之产品构建，使用一款高端X58主板华硕Rampage II Extreme 搭配Intel i7 920处理器组成基本平台，具体配置如下表所示。

软硬件安装完成以后，正确之测试方法是：开机进入到桌面上以后，待系统准备就绪后，才开始运行测试（关闭UAC、屏幕保护程序、系统还原、自动更新等对测试得分有干扰之系统任务）。所有测试项目都运行三遍，在测试成绩稳定、可靠之情况下，我们以其中 好之一次成绩为准。

驱动上我们使用了通过WHQL认证之正式版驱动，非正式版驱动一般都会存在各种问题，使用正式版驱动稳定性更强。

两块Intel X25-M G2 SSD固态硬盘

本次我们评测室拿到了两块容量规格完全相同之Intel X25-M G2 SSD固态硬盘，那么RAID0之测试部分自然必不可少，组建RAID0之过程与传统之机械式硬盘毫没有差别，具体过程我们在这里不再累述。

两块Intel X25-M G2 SSD固态硬盘构建RAID0

[磁盘基准性能测试：PCMark Vantage]

首先进行之是PCMark Vantage测试，PCMark Vantage是目前应用 广泛之系统整体性能测试软件之一，可以衡量各种类型PC之综合性能。从多媒体家庭娱乐系统到笔记本，从专业工作站到高端游戏平台，没有论是在专业人士手中，还是普通用户，都能在PCMark Vantage里了解透彻，从而发挥 大性能。测试内容可以分为以下三个部分：

单盘PCMark Vantage测试成绩截图

双盘RAID0PCMark Vantage测试成绩截图

1、处理器测试：基于数据加密、解密、压缩、解压缩、图形处理、音频和视频转码、文本编辑、网页渲染、邮件功能、处理器人工智能游戏测试、联系人创建与搜索。

2、图形测试：基于高清视频播放、显卡图形处理、游戏测试。

3、硬盘测试：使用Windows Defender、《Alan Wake》游戏、图像导入、Windows Vista启动、视频编辑、媒体中心使用、Windows Media Player搜索和归类，以及以下程序之启动：Office Word 2007、Adobe Photoshop CS2、Internet Explorer、Outlook 2007。

成绩对比图表

在PCMark Vantage磁盘测试项目中，Intel X25-M G2单盘成绩突破了3万分大关，我们要知道即使是目前性能 强之机械式硬盘，其测试成绩也仅仅达到6千到7千分，Intel X25-M G2强悍之性能可见一斑，而组建RAID0之后测试成绩在单盘之基础上又增高了1万多分，虽然没有达到RAID0理论上成绩翻倍之效果，但是突破4万分之成绩也着实令人咋舌了。

[磁盘基准性能测试：HD Tune Pro持续读写]

HD Tune Pro是一款硬盘性能诊断测试工具。它能检测硬盘之传输率、突发数据传输率、数据存取时间、CPU 使用率、健康状态，温度及扫描磁盘表面等。另外，还可详细检测出硬盘之固件版本、序列号、容量、缓存大小以及当前之传送模式等。

单盘HD Tune Pro持续读取测试成绩截图

单盘HD Tune Pro持续写入测试成绩截图

双盘RAID0 持续读取测试成绩截图


双盘RAID0 持续写入测试成绩截图

成绩对比图表

在HD Tune Pro持续读写测试中，Intel X25-M G2单盘表现十分出色，测试成绩结果与其参数标称基本一致，在组建RAID0之后其成绩又有了大幅度提高，虽然未能达到理论上2倍于单盘之性能标准我们仍然对这一结果表示满意。

[磁盘基准性能测试：HD Tune Pro随机读写]

衡量固态硬盘性能之指标一般有四个，持续读取、持续写入，随机读取和随机写入，其中前两项则对应大文件处理(比如蓝光电影)，后两项表现在大量小文件(比如4KB)之处理上，一块优秀之固态硬盘必须在这四方面都表现不俗，但事实上很难，大多都是只有部分指标很好，下面我们来看一下Intel X25-M G2 SSD在随机读写方面表现如何。

单盘HD Tune Pro随机读取测试成绩截图

单盘HD Tune Pro随机写入测试成绩截图

双盘RAID0 随机读取测试成绩截图


双盘RAID0 随机写入测试成绩截图

成绩对比图表

在HD Tune Pro随机读写测试中Intel X25-M G2 充分展现出SSD在处理大量小文件上固有之优势，其成绩十分出色，而在组建RAID0之后这一优势变得更加明显，其成绩提升幅度较之前之持续读写测试更为明显。

[磁盘基准性能测试：ATTO Disk Benchmark]

ATTO Disk Benchmark是由ATTO公司出品之一款磁盘/网络性能测试工具，该软件使用了4MB之测试#*，数据#*按0.5K、1.0K、2.0K直到到1024KB进行分别读写测试，测试完成后数据用柱状图之形式表达出来。很好之说明了文件大小比例不同对磁盘速度之影响。

单盘ATTO Disk Benchmark测试截图

双盘RAID0 ATTO Disk Benchmark测试截图

ATTO Disk Benchmark测试之结果与之前之其他测试基本一致，通过对比测试截图我们可以看到Intel X25-M G2之表现十分出色，在组建RAID0之后成绩更是得到大幅度提升，基本上达到了RAID0理论上两倍左右之性能提升水平。

[磁盘基准性能测试：HDTach]

HD Tach 是一款专门针对磁盘底层性能之测试工具，可用来测试硬盘、U盘（#*括ZIP/JAZZ等驱动器）、磁盘阵列等。它主要通过分段复制不同容量之数据到磁盘进行测试，可进行突发数据传输率、CPU使用率、随机存取时间，连续读取数据传输率及连续写入数据传输率等项目之测试。

单盘HD Tach 测试截图

双盘RAID0 HD Tach 测试截图

测试成绩对比图表

在HD Tach 测试项目中Intel X25-M G2之单盘性能表现出色，平均读取速度和突发传输分别达到了234.2MB/s和247.5MB/s，而在RAID0测试中则出现了一个怪异情况，虽然突发传输达到了430.7MB/s较单盘有了大幅提高，但是其平均读取速度则反而比单盘还低，仅为227.8MB/s，这一结果令我们十分困惑。

[硬盘基准性能测试：IOmeter]

IOMeter是业界广泛使用之IO性能测试软件。通过使用不同之IOMeter设定值来呈现文件服务器（选择范围为512Bytes到64KB）和网站服务器（选择512Bytes到512KB作为I/O范围）之相应负载。在硬盘测试方面，为了得到完整之磁盘性能数据，可以测试512Bytes到512Mbytes等多种数据块大小，并分别测试了读取操作或写入操作下之表现，测试随机率可以从0%-，用于检测磁盘子系统之 大输入输出能力。从所有之数据中，可以分别得到之数据指Iops（每秒操作数）以及MBps（传输速率）。

单盘Iometer测试成绩截图

双盘RAID 0 Iometer测试成绩截图

IOMeter 测试磁盘之I/O传输性能，没有实际读写性能测试,在我们之测试中Intel X25-M G2表现出色，磁盘之I/O传输性能令人满意，而RAID0之测试结果与单盘相比仅有微小幅度提升，看来RAID0对于这款产品之磁盘之I/O传输性能影响非常小。

[总结]

第一代50nm X25-M发布之初就给我们留下了深刻之印象，成为固态硬盘领域之一个标杆，现在升级到34nm之后更是有了近乎全面之提升，其强悍之性能不仅是现在传统机械式硬盘所没有法企及之，同时在目前同类型产品中也是出于绝对领先地位。

当然这里只是理论性能测试，实际应用中根据环境不同估计提升幅度会在0-10%。

相对于性能上之提升，更多之消费者恐怕更为关注34nm新工艺对于产品制造成本以及 终市场价格，据我们目前了解到之信息，34nm X25-M 80/160GB产品编号SSDSA2MH080G2/SSDSA2MH160G2，建议零售价225/440美元，比起一年前发布之50nm版本之595/945美元分别降低了62％和53％。廉价固态硬盘时代也许就在不远之前方。

固态硬盘时代真之要来了……

另外新工艺版1.8寸规格X18-M系列将在本季度晚些时候出货，但320GB大容量版本何时发布尚不清楚，另外企业级X25-E何时升级新工艺也不得而知。

转载：驱动之家